众所周知，目前的硅基芯片，其制造过程都离不开光刻工艺，所以光刻机必不可少。
(相关资料图)
干式光刻机ArF Dry，最多可以实现65nm制程。浸润式光刻机ArFi可以实现的最小制程是7nm，而到了7nm以下，就需要EUV光刻机了。
目前国内的芯片制造工艺，一直卡在14nm，进入不了10nm、7nm等，很多人认为主要是光刻机被卡住了。
毕竟之前中芯的梁孟松也是这么说的，他说7nm制程的研究工作，已经全部做好，5nm制程的最大难点，也在进行中，只等EUV光刻机的到来。
但其实现5nm，真的买到EUV光刻机就行了么，并不是的，还有一种关键设备非常重要，且这种关键设备，也是被美国禁售的。
这种关键设备就是多束电子束光刻机，它与EUV光刻机的作用截然不同。
这种电子束光刻机用在哪里？用在光摸膜板的制造上。
我们知道目前的芯片制造，类似于投影，先制造出光掩膜板，把电路图刻在光掩膜板上，类似于制造一张“幻灯片底片”，而一颗高端芯片通常需要60-90块光刻掩模，其中EUV掩模数量为5-10块，单块成本最高可达200万美元以上。
然后再利用光刻机，用光线来照射光掩膜板，将上面的图刻录到硅晶圆上去。
光掩膜板的精度，其实要高于芯片的精度要求的，毕竟它是底片。而制造这种光掩膜板就需要电子束光刻设备，也是不可替代的。
目前全球仅4家主要企业，能够制造这种多束电子束光刻机，分别是日本的JEOL公司、Nuflare公司、德国的Vistec公司和奥地利的IMS（ IMS Nanofabrication GmbH）公司。其中IMS已被英特尔收购。
这4家中，日本Nuflare 公司最牛，拿下全球90%的份额，也是唯一一家能够具备3nm摸膜板制备能力的厂商。
而这种设备，当然也是被禁运的，是直接被写入《瓦森纳协定》中进行管控的。
可见，真要实现5nm芯片，我们要补的课还非常多，不仅仅是EUV光刻机，还有这种电子束光刻机，甚至除了这两种外，还有各种各样的设备、材料等等。
大家别都只盯着EUV光刻机，它也不过是众多设备中的一种，这些设备缺一不可，所以国产芯片产业链加油吧，路还很漫长。
微软雅黑;font-size:14px;">原文标题:除了EUV光刻机，5nm芯片还需要一种关键设备，也被美国禁售
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